Epistar的高壓LED芯片

     LED產(chǎn)商Epistar展示了他們關(guān)于能讓冷白色（5000k）LED達(dá)到162Lm/W的高電壓LED芯片的研究結(jié)果。  

     該芯片被描述為一個(gè)單片集成，直流多陣列的高電壓應(yīng)用LED芯片。Epistar預(yù)計(jì)這個(gè)產(chǎn)品將成為普通照明的主流產(chǎn)品。 

     通過20mA的驅(qū)動(dòng)電流和47V電壓達(dá)到162Lm/W的發(fā)光效率，相應(yīng)的功耗為0.94W.在這些條件下，45-mil的芯片可以產(chǎn)生152Lm.  

     Epistar說HV-LED相對(duì)于傳統(tǒng)LED有著低電力需求和更高的插座效率，因?yàn)槠鋸?qiáng)大的新高電壓芯片的設(shè)計(jì)。據(jù)公司稱，HV-LED對(duì)電壓和電流變化的靈活性可以簡(jiǎn)化LED的包裝和電路設(shè)計(jì)，從而使整體效率提高。  

　　SMASH項(xiàng)目的進(jìn)展  

　　SMASH項(xiàng)目公開發(fā)表了第二封信。SMASH的目標(biāo)是通過建立破壞性的方式通過納米結(jié)構(gòu)的材料制造LED，達(dá)到高效率和低成本的設(shè)備。這些目標(biāo)會(huì)通過超低缺陷的納米結(jié)構(gòu)模板組成的LED的外延生長(zhǎng)和基于納米棒發(fā)射的LED結(jié)構(gòu)的發(fā)展來完成。這些方法會(huì)對(duì)生產(chǎn)費(fèi)用有很大的影響，因?yàn)樗鼈冊(cè)试S大面積但是低成本的基板（比如說硅）的增長(zhǎng)。  

　　最為關(guān)鍵的一個(gè)步驟是MOVPE的。這是由OsramOptoSemiconductor與布倫瑞克技術(shù)大學(xué)緊密合作而一起完成的。  

　　 SMASH的網(wǎng)站和信都包含了一份2010年International Workshopon Nitride Semiconductors （2010年9月19-24）的總結(jié)。  

　　Verticle展示了第一款六角形的LED芯片  

　　SemiconductorToday上的一篇文章提到：座落在美國(guó)加州都柏林的Verticle公司發(fā)表了他們稱作為第一款六角形的LED芯片。這種蜂窩型的LED芯片是豎向結(jié)構(gòu)的，以InGaN為基礎(chǔ)的藍(lán)色LED芯片，它們是特別為高壓應(yīng)用制造的。CEOMike（M.C.）說，和傳統(tǒng)的正方形或者長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)的LED芯片相比，一個(gè)六角形的芯片在各個(gè)方面比如成本，光輸出效率和束流剖面都會(huì)獲得收益。