紅外發(fā)光二極管/發(fā)射二極管/850nm發(fā)射管 額定工作范圍（以HIR333C-A為例說明）
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項目
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符號
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范圍
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單位
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持續(xù)的正向電流
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IF
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50
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mA
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峰值電流（脈沖頻寬≤100us,沖擊≤1%）
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IFP
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1.0
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A
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反向電壓
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VR
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5
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V
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工作溫度
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Ta
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-25~+85
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℃
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儲存溫度
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Ts
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-40~+100
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℃
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焊錫溫度（焊錫點在膠體以下4mm外，≤5秒）
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Tsol
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260
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℃
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消耗功率（常溫25℃以內(nèi)）
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Pd
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100
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mW
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紅外發(fā)光二極管/發(fā)射二極管/850nm發(fā)射管 電子特性（以HIR333C-A為例說明）
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項目
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符號
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最小值
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平均值
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最大值
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單位
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測試條件
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發(fā)射強度
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Ie
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7.8
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15
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mW/sr
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IF=20mA(IF：順向電流)
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---
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140
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---
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IF=100mA,tp=100_s, tP/T=0.01
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---
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980
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---
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IF=1A,tp=100_s, tP/T=0.01
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峰值波長
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λp
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850
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nm
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IF=20mA
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波長寬度
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?λ
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---
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45
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nm
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IF=20mA
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順向電壓
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VF
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---
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1.2
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1.5
|
V
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IF=20mA
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|
---
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1.8
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2.4
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IF=100mA,tp=100_s, tP/T=0.01
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---
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4.1
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5.25
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IF=1A,tp=100_s, tP/T=0.01
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反向漏電電流
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IR
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---
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---
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10
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uA
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VR=5V(VR：反向電壓)
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發(fā)射角度
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2θ1/2
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17
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---
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Deg.
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IF=20mA
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紅外發(fā)光二極管/發(fā)射二極管/850nm發(fā)射管 發(fā)射強度等級（以HIR333C-A為例說明）IF20mA，單位mW/sr
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等級代碼
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M
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N
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P
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Q
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R
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最小值
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7.8
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11.0
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15
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21
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30
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最大值
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12.5
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17.6
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24
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34
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48
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HIR333C-A插件式紅外發(fā)射管是EVERLIGHT一款高輻射強度850nm峰值波長的紅外發(fā)射二極管，采用GaAlAs材質(zhì)的發(fā)光芯片與黃色透明環(huán)氧樹脂封裝，2.54mm極性腳距，高輻射強度（高發(fā)射功率）與低順向電壓，具有高可靠性，其設(shè)計用于與光敏三極管、光電二極管、紅外接收頭等搭配使用，產(chǎn)品符合無鉛制程與環(huán)保RoHS要求。HIR系列插件式紅外發(fā)射二極管市場應(yīng)用相當(dāng)廣泛，包含影像感測、體感/移動偵測、光遮斷感測、光電開關(guān)、接近開關(guān)、光盤驅(qū)動、紅外感測、數(shù)碼相機、空間信號傳送裝置、位置感測、生物辨識、脈搏血氧偵測等