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現(xiàn)貨銷售6Pin DIP-DC達林頓型光耦4N33

發(fā)布日期:2020-05-09 15:00:53

由于我們下單EVERLIGHT較早,終于有了庫存6Pin DIP-DC達林頓型光耦4N33,可以現(xiàn)貨供應

4N33達林頓光耦圖片

014表示2020年第14周生產

4N33表示光耦的名稱

EL表示EVERLIGHT品牌

T呢?最新有這個T字代表什么?,其實就是MADE IN TAIWAN的意思,也就是EVERLIGHT臺灣廠生產

 

●達林頓輸出光耦4N33此類外型的達林頓型光耦規(guī)格有:4N33,4N33M,4N33S(TA),4N33S(TB),4N33S1(TA),4N33S1(TB);達林頓輸出光耦4N33的電流轉換倍率CTR在500%以上;最大開啟時間5us,最大關斷時間100us;絕緣電壓5000V,集電極與發(fā)射極飽和電壓最大VCE(sat)1.0V(IF=8mA,IC=2mA);絕緣電阻1011Ω(VIO=500VDC);達林頓輸出光耦4N33通過的安規(guī)認證:UL No.E214129;VDE No.132249;CSA No.1408633;SEMKO;FIMKO;NEMKO;DEMKO認證通過

 

●達林頓輸出光耦4N33發(fā)射管端:最高耐電流IF=60mA,脈沖(1us)IFP可達1安培,反向耐電壓6V,最高功率消耗120mW,功率消耗降低因子3.8mW/℃

●達林頓輸出光耦4N33達林頓晶體管端:最高功率消耗150mW,功率消耗降低因子6.5mW/℃;集電極電流最高80mA;集電極-基極電壓最高VCBO:55V;集電極-發(fā)射極電壓最高VCEO:55V;發(fā)射極-基極電壓最高VECO:7V;發(fā)射極-基極電壓最高VEBO:7V

●達林頓輸出光耦4N33總的功率消耗最大200mW;絕緣電壓Viso:5000V;工作溫度-55~100℃;儲存溫度-55~125℃;焊錫溫度260±5℃(需要參考Reflow溫度曲線要求)

●達林頓輸出光耦4N33紅外線發(fā)射管即輸入端電子特性:順向壓降平均1.2V、最大1.5V(IF=20mA),反向漏電電流最大10uA(VR=6V);平均電容值50pF(V=0,f=1KHz)

●達林頓輸出光耦4N33達林頓晶體管端即輸出端電子特性:集電極-發(fā)射極最大暗電流100nA(Vce=20V,IF=0mA),集電極-發(fā)射極最小擊穿電壓VCEO:55V(Ic=1mA),集電極-基極電壓最高VCBO:55V(Ic=0.1mA),發(fā)射極-集電極最小擊穿電壓BVECO:7V(Ie=0.1mA)

 

●4N33 達林頓輸出光耦,一般應用:低功率的邏輯電路、手提電子設備、電信設備、測量儀器、電信、家電、風扇、加熱器等、不同的誘發(fā)電位和阻抗之間的信號傳輸電路。

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文章關鍵詞:光耦4N33,達林頓光耦,可控硅光耦,繼電器光耦、插件光耦,6PIN光耦
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