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行業(yè)新聞

光耦TLP181BL停產(chǎn),可用EL357ND完全替代

發(fā)布日期:2018-04-19 12:09:55

EL357N

規(guī)格后面的-G表示不含鹵素,簡稱“無鹵”

目前,業(yè)界Toshiba的光耦TLP181BL停產(chǎn)了?朋友們回過來問我們EVERLIGHT品牌的光耦可有替代料號,推薦EL357ND(TA)-G試產(chǎn)通過驗證,可以100%完全替代使用,其規(guī)格參數(shù)內(nèi)容如上,具體說明如下:

光耦EL357N-G使用額定最大范圍

項目

符號

最大范圍

單位

輸入端

順向電流

IF

50

mA

峰值電流(1us脈沖)

IFP

1

A

反向電壓

VR

6

V

功率消耗/功率降幅

Pd

70

mW

2.9

mW/℃

輸出端

功率消耗/功率降幅

Pc

150

mW

3.7

mW/℃

集電極電流

Ic

50

mA

集電極-發(fā)射極電壓

Vceo

80

V

發(fā)射極-集電極電壓

Veco

7

V

總的功率消耗

Ptot

200

mW

隔離電壓

Viso

3750

V

工作溫度

Topr

-55~100

儲存溫度

Tstg

-55~125

焊錫溫度

Tsol

260

 

光耦EL357N-G輸入端特性

項目

符號

最小值

平均值

最大值

單位

條件

順向電壓

VF

---

1.2

1.4

V

IF=±20mA

反向電流

IR

---

--

10

uA

VR=4V

輸入端電容

Cin

---

30

250

pF

V = 0, f = 1kHz

 

光耦EL354N- VG輸出端特性

項目

符號

最小值

平均值

最大值

單位

條件

集電極與發(fā)射極暗電流

Iceo

---

---

100

nA

VCE = 20V, IF = 0mA

集電極-發(fā)射極擊穿電壓

BVceo

80

--

---

V

IC = 0.1mA

發(fā)射極-集電極擊穿電壓

BVeco

7

---

---

V

IE = 0.01mA

 

光耦EL357N-G基本的轉(zhuǎn)換特性

品名型號

圖標符號

最小值

平均值

最大值

單位

測試條件

按CTR分

EL357N

CTR

60

---

600

%

IF=5mA,Vce=5V

EL357NA

80

 

160

EL357NB

130

 

260

EL357NC

200

 

400

EL357ND

300

 

600

EL357NE

100

 

200

EL817NF

150

---

300

集電極發(fā)射極飽和電壓

Vce(sat)

---

0.1

0.2

V

IF = ±20mA ,IC = 1mA

隔離阻值

Rio

5×1010

1011

---

Ω

VIO = 500Vdc,40~60% R.H.

浮動電容

Cio

---

0.6

1.0

pF

VIO = 0, f = 1MHz

上升時間

tr

---

3

18

us

VCE = 2V, IC = 2mA,RL = 100Ω

下降時間

tf

---

4

18

us

安規(guī)認證通過:UL(No.E214129);VDE(No.132249);CSA(No.1408633);SEMKO(No.716108);FIMKO(No.FI22807);NEMKO(No.P06206474);DEMKO(No.313924)

文章關(guān)鍵詞:無鹵光耦、光耦357、貼片光耦
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